30P04-ASEMI中低压P沟道MOS管30P04

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30P04-ASEMI中低压P沟道MOS管30P04

型号：30P04

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：-30A

漏源击穿电压：-40V

RDS（ON）Max：17mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：P沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的30P04 MOS管

  ASEMI品牌30P04是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了30P04的最大漏源电流-30A，漏源击穿电压-40V.

•细节体现差距

30P04，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

30P04具体参数为：最大漏源电流：-30A，漏源击穿电压：-40V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F

来源链接：https://www.cnblogs.com/asemi99/p/18672937